Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPI200N15N3 G
Infineon Technologies

IPI200N15N3 G

Номер детали производителя IPI200N15N3 G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3
В наличии 4386 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMultiple Devices 04/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4386 Infineon Technologies IPI200N15N3 G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1820 pF @ 75 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPI200N

Рекомендуемые продукты

IPI200N15N3 G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPI200N15N3 G

Связанные детали для IPI200N15N3 G